使用PECVD设备，以化学气相沉积的方式，在经过制绒清洗的硅片表面沉积硅薄膜材料

设备特点：

· 采用In-Line直通式线列结构

· 独有的大面积射频放电系统，高产能、快节拍、同时兼容RF本征/VHF掺杂工艺

· 内置恒温热壁反应腔，非晶硅工艺稳定、良率高、效率高

· 可调放电间距

· 在线载板清洗，降低维护成本和时间，提高设备开机率

设备尺寸：

82m×6m×3m

使用PVD设备，以磁控溅射的方式在经过PECVD沉积镀膜的硅片表面镀TCO导电膜

设备特点：

· In-Line线列式溅射系统，实现双面同时在线溅射镀膜 

· 配备大功率长寿命旋转阴极

· 经量产验证的ITO沉积技术，同时兼容AZO多种材料隔离沉积

· 在线载板清洗技术，降低维护成本和时间，提高开机率

设备尺寸：

68m×7m×2.4m

在异质结电池片表面用丝网印刷方式制作电极和电路

设备特点：

· 具备丝网角度纠偏技术，栅线印刷定位精度高

· 可选择采用金属网版，栅线可以得到更好的宽高比

· 可采用多种银浆和不同工艺配方，可选择直通模式二次、三次、四次印刷

设备尺寸：

48.5m×3.05m×2.8m